Гарантия, месяц

Страна

Производитель

Тип накопителя

Серия

Модель

Объем (диапазон)

Объем, Гб

Форм-фактор

Тип флеш-памяти

Интерфейс подключения

Макс. скорость передачи данных, мБ/сек

Поддержка NVMe

Совместимый ключ разъема

Максимальный ресурс записи (TBW), ТБ

Максимальная скорость чтения до, мБ/сек

Максимальная скорость записи до, мБ/сек

Вес (устройства), г

Вес (с упаковкой), г

Высота, мм

Ширина, мм

Глубина, мм

Высота, мм

Ширина, мм

Глубина, мм

Samsung 2 ГБ Low Power DDR4 SDRAM с низким энергопотреблением

Случайное чтение 4 КБ (QD32): До 1 000 000 операций ввода-вывода в секунду
Произвольная запись 4 КБ (QD32): До 1 000 000 операций ввода-вывода в секунду
*Производительность может варьироваться в зависимости от аппаратного обеспечения и конфигурации системы

Средняя потребляемая мощность: 6,1 Вт. *Максим: 7,2 Вт. (режим Burst) Энергопотребление в режиме ожидания: Макс. 35 мВт.
* Фактическое энергопотребление может различаться в зависимости от оборудования и конфигурации системы.

Допустимое напряжение: 3,3 В ± 5 % от допустимого напряжения
Рабочая Температура: 0 - 70 ℃ рабочая температура
Надежность (MTBF) 1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
Устойчивость к ударам - 1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)

Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора
AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка режима сна

ПО Magician для управления SSD