Гарантия, месяц

Страна

Производитель

Тип накопителя

Серия

Модель

Объем, Гб

Объем (диапазон)

Форм-фактор

Тип флеш-памяти

Интерфейс подключения

Макс. скорость передачи данных, мБ/сек

Поддержка NVMe

Совместимый ключ разъема

Максимальный ресурс записи (TBW), ТБ

Максимальная скорость чтения до, мБ/сек

Максимальная скорость записи до, мБ/сек

Вес (устройства), г

Вес (с упаковкой), г

Высота, мм

Ширина, мм

Глубина, мм

Высота, мм

Ширина, мм

Глубина, мм

Буферная память Samsung 2 ГБ Low Power DDR4 SDRAM

Случайное чтение, запись (4 КБ, QD32) - Скорость случайного чтения до 620 000 IOPS. Скорость случайной записи до 560 000 IOPS.
Случайное чтение, запись (4KB, QD1) - Скорость случайного чтения до 19 000 IOPS. Скорость случайной записи до 62 000 IOPS.
* Эти значения могут зависеть от конфигурации системы ** Измерения проводились при активированной технологии записи Intelligent TurboWrite.

Средняя потребляемая мощность: 6,0 Вт. *Максим: 9,0 Вт. (режим Burst) Энергопотребление в режиме ожидания: Макс. 30 мВт.
*Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системы

Надежность (MTBF) 1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)

Устойчивость к ударам - 1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)

Поддержка TRIM
Поддержка S.M.A.R.T
Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора
AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
Поддержка WWN - нет
Поддержка режима сна

ПО Magician для управления SSD