Накопитель Samsung SSD 860 Evo Sata III, MZ-76E250BW, 250 Гб

SSD, которому можно доверять

Накопитель Samsung 860 EVO представляет собой наиболее продаваемый в мире SATA SSD накопитель* SATA SSD. Специально разработанный для мейнстримовских ПК и ноутбуков, использующий технологию V-NAND и надежный контроллер с отлаженным алгоритмом, этот накопитель является самым быстрым SSD. Он изготавливается в широком диапазоне форм-факторов для совместимым с большинством хост устройств.

* Источники: NPD (Данные из США за период с января 2015 до октября 2017) и GfK (данные EU5 за период с января 2015 до сентября 2017, данные из КНР за период с января 2016 до сент. 2017)

Улучшенные рабочие характеристики

Скорости чтения и записи отличаются удивительной стабильностью даже при самых высоких нагрузках и при использовании многозадачного режима. Скорость последовательной записи накопителя 860 EVO с использованием интеллектуальной технологии записи (Intelligent TurboWrite) достигает 520 МБ/с*. Скорость последовательного чтения достигает 550 МБ/с. Размер буфера TurboWrite* для увеличения скорости передачи файлов увеличен с 12 ГБ до 78 ГБ.

* Производительность может зависеть от версии прошивки SSD, типа аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Измерения скорости последовательной записи основаны на использовании технологии Intelligent TurboWrite. Измерения скорости последовательной записи/чтения производились с применением программ CrystalDiskMark v.5.0.2 и IOmeter 1.1.0. Скорость последовательной записи после области Intelligent TurboWrite составила 300 МБ/c для SSD емкостью 250/500 ГБ и 500 МБ/c для 1 ТБ SSD.
* Для тестирования использовалась следующая системная конфигурация: Intel Core i5-3550 CPU, 3.3 ГГц, DDR3 1333 МГц 4 ГБ, OS – Windows 7 Ultimate x64, Chipset: ASUS P8H77-V
* Размер буфера TurboWrite в зависимости от емкости SSD составлял 12 ГБ для 250 ГБ модели SSD, 22 ГБ для 500 ГБ модели, 42 ГБ для 1 ТБ модели и 78 ГБ для 2/4 ТБ моделей SSD. Дополнительную информацию по технологии TurboWrite можно найти на сайте www.samsungssd.com.

Улучшенная надежность

Храните и обрабатывайте 4K видео и 3D данные с помощью новейших программ и не беспокойтесь о сохранности данных. Ресурс накопителя по записи (TBW*) до 8 раз превышает аналогичную характеристику предыдущей модели накопителя - 850 EVO SSD. Новейшая V-NAND технология обеспечивает рабочий ресурс до 2400 TBW или 5-летний срок ограниченной гарантии.*

*TBW гарантия для 860 EVO: 150 TBW для 256 ГБ модели, 300 TBW для 500 ГБ модели, 600 TBW для 1 ТБ модели, 1200 TBW для 2 ТБ модели и 2400 TBW для 4 ТБ модели.
* 5 лет или TBW (в зависимости от того, какой ресурс будет выработан раньше). Дополнительную информацию по гарантии можно найти в инструкции, вложенной в упаковку накопителя.

Smart совместимость

Оцените преимущества увеличения скорости коммуникации SSD с вашей хост системой. Отлаженный ECC* алгоритм и новый MJX контроллер обладают более высокой скоростью работы, а более эффективно работающая команда queued trim обеспечивает улучшенную совместимость с ОС Linux. Наши усовершенствованные технологии обеспечивают улучшенную совместимость накопителя 860 EVO с вашей компьютерной системой.

* Код коррекции ошибок

Множество вариантов форм-фактора

К любому ПК можно подобрать накопитель 860 EVO с соответствующим форм-фактором. Выберите 2.5-дюймовый SSD накопитель для настольного ПК и ноутбуков, а также SATA M.2 (2280) или mSATA накопители для ноутбуков типа ultra-slim.

Samsung Magician

Характеристики

Основные характеристики
- Применение
  Пользовательские ПК
- Производительность
  250 ГБ (1ГБ=1 миллиард IDEMA). *Фактически используемая емкость может быть меньше (в результате форматирования, использования операционной системой, приложениями и др.)
- Форм-фактор
  2.5 дюйма
- Интерфейсы
  SATA 6 Гбит/c интерфейс, совместимый с SATA 3 Гбит/c и SATA 1,5 Гбит/c интерфейсами
- Размеры (ШxВxГ)
  100 X 69,85 X 6,8 (мм)
- Вес (г.)
  Макс. вес 60.0 г.
- Основная память
  Samsung V-NAND 3bit MLC
- Контроллер
  Samsung MJX Controller
- Буферная память
  Samsung 512 МБ Low Power DDR4 SDRAM
Условия эксплуатации
- Энергопотребление в ждущем режиме
  *Средняя потребляемая мощность: 3.0 Вт. *Макс. значение: 4,0 Вт. (режим Burst) *Фактическое энергопотребление может зависеть от конфигурации системы
- Надежность (MTBF)
  1.5 млн. часов (ср. время наработки на отказ, сокр. MTBF)
- Диапазон рабочих температур
  Диапазон рабочих температур: 0 - 70 ℃
- Устойчивость к ударам
  1500 G в течение 0.5 мс (полусинус)

Особенности
- Поддержка TRIM
  Да
- Поддержка S.M.A.R.T
  Да
- GC (сборка мусора)
  Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора
- Поддержка шифрования
  AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод)
- Поддержка WWN
  Поддержка имен World Wide Name
- Поддержка режима сна
  Да
- Комплектация
  Накопитель
Программное обеспечение
- Дополнительное ПО
  ПО Magician для управления SSD
- Гарантия
  5-летняя гарантия или ограниченная гарантия (150 TБ на запись)

Дополнительные характеристики
- Последовательное чтение
  Скорость последовательного чтения до 550 MБ/с * Характеристика может зависеть от конфигурации системы
- Последовательная запись
  Скорость последовательного чтения до 520 MБ/с * Это значение может зависеть от конфигурации системы
- Случайное чтение (4 КБ, QD32)
  Скорость произвольного чтения до 98 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системы
- Случайная запись (4 КБ, QD32)
  Скорость произвольного чтения до 90 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системы
- Случайное чтение (4KB, QD1)
  Скорость произвольного чтения до 10 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системы
- Случайная запись (4KB, QD1)
  Скорость произвольного чтения до 42 000 операций/сек. *Это значение может зависеть от конфигурации системы

Аксессуаров пока нет

Оценки и отзывы потребителей

Средний рейтинг

4.7

на основании 40 отзывов

Оставить отзыв

Павел

Отличный диск - шустро работает, никаких проблем. Взял на замену диска от другого производителя (внезапно перестал видится в BIOS). С Samsung пока никаких проблем не было.